Toho Titanium 4N5（99.995%）高纯度钛 半导体溅射靶材超高纯钛 简介

Toho Titanium 东邦钛业 4N5（99.995%）高纯度钛 半导体溅射靶材基材超高纯钛材料

Toho Titanium 东邦钛业 4N5（99.995%）高纯度钛 半导体溅射靶材基材超高纯钛材料

Toho Titanium 东邦钛业 4N5 高纯度钛，钛纯度 99.995%，金属杂质与气体杂质含量控制在极低水平，依托专用 EB 电子束精炼炉制备，可加工为高纯钛锭、高纯钛坯，是半导体溅射钛靶核心基材。产品氧含量低，杂质元素 ppm 级管控，满足半导体薄膜制备严苛材料标准。

4N5 高纯钛采用高等级海绵钛作为原料，在专用真空电子束炉多次精炼，严控铁、镍、铬、氧等杂质。材料晶粒组织可控，靶材加工后镀膜稳定性高，薄膜均匀性好，适合 DRAM 等存储芯片、逻辑器件金属化薄膜制备。材料洁净度高，镀膜过程不易产生颗粒污染。

核心应用为半导体行业高纯钛溅射靶材基材，也用于电子真空器件、特种分析仪器零部件。4N5 高纯钛是*半导体制造的关键基础材料。北崎国际东邦钛原厂一手渠道，可提供 4N5 高纯钛原厂检测报告，进口供货与半导体材料选型技术支持。

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